三星首家量產(chǎn)20nm級(jí)3bpc 64Gb閃存
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- 時(shí)間:2010-10-14 10:10:46 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家
三星電子今天宣布全球首家量產(chǎn)使用20nm級(jí)工藝，3bpc技術(shù)的64Gb容量NAND閃存。該閃存的量產(chǎn)，將在不久后推動(dòng)USB閃盤和SD卡等產(chǎn)品容量、性能的大幅度提升。
3bpc閃存又稱TLC閃存，相比SLC每個(gè)存儲(chǔ)單元只能保存1bit數(shù)據(jù)，MLC閃存保存2bit數(shù)據(jù)，3bpc/TLC閃存的每個(gè)存儲(chǔ)單元（Cell）可保存3bit數(shù)據(jù)。即使用更少的存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)更大容量，主要面向閃存盤、存儲(chǔ)卡或其他消費(fèi)電子設(shè)備。由于其讀寫壽命較短，通常不會(huì)用于固態(tài)硬盤，但SandForce已經(jīng)表示其控制器方案可以控制讀寫次數(shù)，從而使用低成本的3bpc閃存。
Intel美光合資企業(yè)今年8月已經(jīng)宣布成功研發(fā)25nm工藝64Gb 3bpc閃存，預(yù)計(jì)將于年底量產(chǎn)。三星此次宣布量產(chǎn)則依然沒(méi)有公布具體制程，僅表示“20nm級(jí)”（20nm-29nm）。
應(yīng)用64Gb容量3bpc閃存，可以僅用一顆芯片打造8GB容量U盤或存儲(chǔ)卡。由于采用了Toggle DDR 1.0規(guī)范技術(shù)，三星新3bpc閃存性能相比30nm級(jí)SDR產(chǎn)品也有顯著提升。另外三星還表示，20nm級(jí)64Gb容量3bpc閃存的產(chǎn)出率比30nm級(jí)32Gb產(chǎn)品高60%，有助于大幅降低成本。
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